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- Email:hl@tamasaki.com
- 公司地址:
- 江西省萍乡市安源区春雷粮
- 油批发市场招商中心二楼1-3室
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产品详情
简单介绍:
VU111 是 HORIBA Scientific 高性价比高性能微型光谱仪系列的*新发展成果。该 VU111 系统用于工业应用,采用针对紫外光谱范围进行了优化的小型化光学引擎。VU111 基于高性能像差校正凹面光栅。该平台经过专门设计,可轻松适应各种探测器和电子驱动器。光学设计经过优化,可*大限度地减少杂散光并*大限度地提高光学性能。VU111 的性能优于基于前照式 CMOS 线性传感器或低成本背照式 CCD 的竞争微型光谱仪。
详情介绍:
用于 OEM 工业应用
理想的应用,如发射、吸光度和反射率。
例子:
- Semicon(通过等离子体分析进行化学指纹图谱分析)/紫外线和高分辨率相结合,用于发射光谱燃烧监测)
- 度量衡学
- HPLC/UPLC(出色的杂散光抑制性能)
- 高光谱分辨率(在 312 nm 或 223 nm 处低至 0.3 nm 分辨率)
- CCD 标准,可根据要求提供 CMOS/PDA
- 可配置线性 CMOS 以实现经济实惠,或可配置 CCD 以实现*高灵敏度
- WL 范围:深 UV/UV
- 超低杂散光
- 针对许多应用高度可定制
- 大批量生产能力
光谱仪通用规格*
光谱覆盖范围 | Deep UV & UV |
*低分辨率 |
第 1 次优化:0.3 nm @ 312 nm 第 2 次优化:0.3 nm @ 223 nm |
平均分辨率从 220 nm 到 330 nm |
第 1 次优化:从 220 nm 到 330 nm 第 2 次优化:高达 240 nm |
工作 F/# | f/2.7 |
杂散光 | <0.1% / 超低杂散光 |
选项 | 狭缝尺寸可定制 |
软件 | 用于初始评估的 LabVIEW™ 采集软件(为软件集成提供 DLL) |
探测器选件和规格
线性前照式 CMOS 传感器 ,具有高速和 UV 扩展功能 |
线性背照式 CCD,具有大有效面积 和高灵敏度 |
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---|---|---|---|
传感器类型 |
滨松 CMOS 线 阵图像传感器 S11639, 具有主动像素结构和 全局电子快门 |
滨松 CCD 传感器 S11071 具有高光谱 采集速度 |
具有高动态范围 的滨松 CCD 传感器 S10420 |
传感器格式 | 2048 x 1 像素 |
2048 x 70 像素,可根据要求提供更短 的版本 |
2048 x 70 像素,可根据要求提供更短 的版本 |
活动区域 | 28.7 x 0.2 毫米 | 28.7 x 1 毫米 | 28.7 x 1 毫米 |
像素大小 | 14 x 200 微米 | 14 x 14 微米 | 14 x 14 微米 |
量化宽松 | > 450 - 750 nm 为 75% | ||
满阱容量 |
100,000 e ̄(典型值) 80,000 e ̄(*小值) |
>240,000 e ̄(典型值) >175,000 e ̄(*小值) |
>375,000 e ̄(高 FW 模式 |
读出噪声 |
16 e ̄(典型) 20 e ̄(*大) |
35 e ̄(典型) 45 e ̄(*大) |
50 e ̄(典型值)& 75 e ̄*大值) 在高满阱模式下 |
*大光谱速率 | 1400 光谱/秒或更高 | 770 光谱/秒 | 223 光谱/秒 |
模数转换器 | 16 位 | 16 位 | 16 位 |
动态范围 (FW/RN) | 6250:1(典型) | 6800:1(典型) | 7500:1(高固件模式)(典型) |
非线性 | <0.1% (修正) | <0.4% (修正) | <0.4% (修正) |
暗电流 (@25° C) |
375 e ̄/像素/s(典型) 500 e ̄/像素/s(*大) |
50 e ̄/像素/s(典型值) 500 e ̄/像素/s(*大值) |
50 e ̄/像素/s(典型值) 500 e ̄/像素/s(*大值) |
通信 | USB 2 接口 | ||
环境条件 |
工作温度 +15°C 至 45°C 环境 相对湿度 <70%(非冷凝);储存温度 -20°C 至 60°C |
||
电源要求 | 通过 USB 2 |
提供其他探测器选项,例如具有无源像素结构和高达 1Ge 的全阱 CMOS-PDA。
线性 CMOS-PDA 选项(可根据要求提供其他传感器) | ||
---|---|---|
传感器类型 | S1012X 系列 (高性能) | S837X 系列 (低成本) |
像素格式 | 25 或 50 μm 像素间距;0.5 或 2.5 mm 像素高度;512 像素或 1024 像素 | |
检测器 QE | 请参阅以下页面上的图表 | |
满阱 (e-) | 从 94 Me ̄ 到 1 Ge ̄(典型值) | 从 43 Me ̄ 到 430 Me ̄(典型值) |
读出噪声 (e-) | 5200 e ̄(典型值) | 3370 E ̄(典型) |
光谱仪外壳会略有不同,具体取决于 CMOS-PDA 选件 |
量子效率
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